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JANTXV2N3879P数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

JANTXV2N3879P

参数属性

JANTXV2N3879P 封装/外壳为TO-213AA,TO-66-2;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:POWER BJT

功能描述

NPN Silicon Power 75V, 7A
POWER BJT

封装外壳

TO-213AA,TO-66-2

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-18 18:16:00

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JANTXV2N3879P规格书详情

描述 Description

This specification covers the performance requirements for NPN, silicon, power, 2N3879 transistors. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500/526. The device package outline is a modified TO-213AA (similar to a TO-66).

特性 Features

The device package outline is a modified TO-213AA (similar to a TO-66).

简介

JANTXV2N3879P属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的JANTXV2N3879P晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    JANTXV2N3879P

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/526

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.2V @ 400mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    25mA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 500mA,5V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供应商器件封装:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    POWER BJT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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