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JANSM2N5152U3规格书详情
描述 Description
\"These RHA level 2N5152U3 and 2N5154U3 silicon transistor devices are military Radiation Hardness Assurance qualified per MIL-PRF-19500/544 up to a JANSF level for high-reliability applications. The low-profile U3 (SMD-0.5) package features ceramic construction with gold plating.\"
简介
JANSM2N5152U3属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由Microchip制造生产的JANSM2N5152U3晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
JANSM2N5152U3
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500/544
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 500mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 2.5A，5V
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-SMD，无引线
- 供应商器件封装：
U3（SMD-0.5）
- 描述：
RH POWER BJT
