JAN2N1016B_分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个-美高森美

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厂家型号：
JAN2N1016B
制造商：
MICROSEMI/美高森美
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
更新时间：
2024-9-26 15:00:00

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原厂料号：JAN2N1016B品牌：Microsemi Corporation

资料说明：TRANS NPN 100V 7.5A TO82

JAN2N1016B是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商MICROSEMI/美高森美生产封装的JAN2N1016B晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
jan2n1016b
规格书：
下载
企业简称：
MICROSEMI【美高森美】详情
厂商全称：
Microsemi Corporation
中文名称：
美高森美公司
资料说明：
TRANS NPN 100V 7.5A TO82

产品属性

类型
描述
产品编号：
JAN2N1016B
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/102
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 1A，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 2A，4V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装：
TO-82
描述：
TRANS NPN 100V 7.5A TO82

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JAN2N1016B

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