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IXYH40N120B4	文件：300 bytes Page：1 Pages	XPT™ 沟槽 IGBT • 较低的通态电压Vcesat\n• 针对10kHz至30kHz的中等开关频率进行了优化\n• 正热系数Vcesat\n• 国际标准包装;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXYH40N120B4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT DISCRETE TO-247	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXYH40N120B4H1	文件：300 bytes Page：1 Pages	XPT™ 沟槽 IGBT • 低Vcesat、低Eon/Eoff\n• 高浪涌电流能力和短路能力\n• 正热系数Vcesat;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXYK120N120C3	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-264	IXYS 艾赛斯上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	IXYS
IXYN30N170CV1	文件：0 bytes Page：0 Pages	Module	IXYS 艾赛斯上传：深圳市华睿芯科技有限公司	IXYS

产品属性

产品编号：
IXYH40N120B4
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
XPT™, GenX4™
包装：
托盘
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，32A
开关能量：
5.9mJ（开），2.9mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
19ns/220ns
测试条件：
960V，32A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247（IXTH）
描述：
IGBT DISCRETE TO-247

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