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RFD12N06RLESM	文件：896.99 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RFD12N06RLESM	文件：49.12 Kbytes Page：6 Pages	12A,60V,0.135Ohm,N-Channel,LogicLevel,PowerMOSFETs TheseN-ChannellogiclevelESDprotectedpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogic	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFD12N06RLESM	文件：215.95 Kbytes Page：10 Pages	17A,60V,0.071Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.063Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.071Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER© ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFP12N06	文件：215.95 Kbytes Page：10 Pages	17A,60V,0.071Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.063Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.071Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER© ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFP12N06RLE	文件：49.12 Kbytes Page：6 Pages	12A,60V,0.135Ohm,N-Channel,LogicLevel,PowerMOSFETs TheseN-ChannellogiclevelESDprotectedpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogic	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP12N06RLE	文件：215.95 Kbytes Page：10 Pages	17A,60V,0.071Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.063Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.071Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER© ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFP12N06RLE	文件：1.31321 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SDP12N06	文件：1.1062 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SG12N06DP	文件：202.12 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
SG12N06DP	文件：198.75 Kbytes Page：2 Pages	DiscreteIGBTs	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER

详细参数

型号：
IXTY12N06T
功能描述：
MOSFET 12 Amps 6V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IXTY12N06T	IXYS	24+	TO-252	70		询价
深圳市鹏和科技有限公司	IXTY12N06T	IXYS	24+	TO-252	5000	只做原装公司现货	询价
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