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IXTY01N100规格书详情
特性 Features
• 国际标准包装
• 快速切换时间
• 雪崩评级
• 坚固的多晶硅栅极单元结构
• 超低的RDS(on)
应用 Application
• 电容放电电路
• 高压电源
• 脉冲电路
• 电平移动
• 固态继电器
• 触发器
技术参数
- 型号：
IXTY01N100
- 功能描述：
MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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