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N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.115Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■LOGICLEVELCOMPATIBLEINPUT ■175oCOPERATINGTEMPERATUREFORSTANDARDPACKAGE ■APPLIC | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | ||
60VN-ChannelDTMOS | WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光国微紫光国芯微电子股份有限公司 | WUMC | ||
60VN-ChannelDTMOS Features TrenchPowerDTMOSTechnology LowRDS(ON) LowGateCharge OptimizedforFast-switchingApplications Applications SynchronousRectificationinDC/DCandAC/DCConverters IsolatedDC/DCConvertersinTelecomandIndustrial | WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光国微紫光国芯微电子股份有限公司 | WUMC | ||
60VN-ChannelDTMOS | WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光国微紫光国芯微电子股份有限公司 | WUMC | ||
60VN-ChannelDTMOS | WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光国微紫光国芯微电子股份有限公司 | WUMC |
详细参数
- 型号：
IXTU12N06T
- 功能描述：
MOSFET 12 Amps 6V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
24+ |
TO-251 |
146 |
询价 | |||
IXYS |
23+ |
TO-251 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
20+ |
TO-251 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
66 |
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IXYS |
1809+ |
TO-251 |
3675 |
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VBsemi |
23+ |
TO251 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
66 |
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VB |
21+ |
TO-251 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO2513 Short Leads IPak TO251A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-251 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 |
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