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4N100-FC	文件：621.96 Kbytes Page：9 Pages	null4.0A,1000VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC4N100-FCprovideexcellentRDS(ON),lowgate chargeandoperationwithlowgatevoltages.Thisdevice suitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES0 RDS(ON)≤6.0Ω@VGS=10V,ID=2.0A LowReverseTransferCapacitance *FastSwitchingCapabi	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
DAM4N100L	文件：257.35 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
IXFA4N100P	文件：157.57 Kbytes Page：4 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
RFP4N100	文件：101.12 Kbytes Page：2 Pages	4.3A,1000V,3.500Ohm,HighVoltage,N-ChannelPowerMOSFETs TheRFP4N100andRFP4N100SMareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhig	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFP4N100	文件：45.99 Kbytes Page：6 Pages	4.3A,1000V,3.500Ohm,HighVoltage,N-ChannelPowerMOSFETs TheRFP4N100andRFP4N100SMareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhig	Intersil Intersil Corporation	Intersil
STP4N100	文件：202.63 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=3.1Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWINPUTCAPACITANCE ■LOWGATECHARGE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEED	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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