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IXTP44N30T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 300V 44A TO220AB	IXYS 艾赛斯	IXYS
FQA44N30	文件：363 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=43.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =69mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：363 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQA44N30	文件：745.14 Kbytes Page：8 Pages	300V N-Channel MOSFET 300V N-Channel MOSFET 文件：745.14 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IXTQ110N055P	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-3P	IXYS 艾赛斯上传：深圳市恒达亿科技有限公司	IXYS
IXTQ130N10T	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-3P	IXYS 艾赛斯上传：深圳市昊创电子有限公司	IXYS

产品属性

产品编号：
IXTP44N30T
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列：
Trench
包装：
管件
FET 类型：
N 通道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
44A（Tc）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
TO-220-3
封装/外壳：
TO-220-3
描述：
MOSFET N-CH 300V 44A TO220AB

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