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DAM15N100B	文件：218.84 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
DAM15N100D	文件：233.38 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
DAM15N100S	文件：238.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
IXFH15N100	文件：628.09 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeHighdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ●FastintrinsicRectifier Applications ●DC-DCconverters ●Batteryc	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH15N100	文件：372.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH15N100P	文件：181.5 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET Polar™PowerMOSFETHiPerFET™ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardpackages •Fastrecoverydiode •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomo	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH15N100P	文件：371.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.76Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH15N100Q	文件：337.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH15N100Q	文件：137.46 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,LowQg,Highdv/dt Features •IXYSadvancedlowQgprocess •Internationalstandardpackages •EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification •LowRDS(on)lowQg •Avalancheenergyandcurrentrated •Fastintrinsicrectifier Advantages •Ea	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK15N100Q	文件：328.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IXTN15N100
制造商：
IXYS Corporation
功能描述：
MOSFET N SOT-227B

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市勤思达科技有限公司	IXTN15N100	IXYS	10+	主营模块	85	原装正品,公司正品供应	询价
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