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4N90	文件：165.57 Kbytes Page：6 Pages	4Amps,900VoltsN-CHANNELMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
4N90	文件：184.95 Kbytes Page：6 Pages	4Amps,900VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
4N90	文件：65.65 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
4N90C	文件：197.15 Kbytes Page：5 Pages	4.0A,900VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
AOTF4N90	文件：296.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOTF4N90	文件：43.7 Kbytes Page：6 Pages	HVMOSFamilyReport	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
FIR4N90FG	文件：2.08953 Mbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FIR4N90RG	文件：2.22911 Mbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FQB4N90	文件：609.28 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB4N90TM	文件：2.19384 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQI4N90	文件：609.28 Kbytes Page：9 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP4N90	文件：648.23 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP4N90	文件：302.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQP4N90C	文件：306.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQP4N90C	文件：920.84 Kbytes Page：10 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP4N90C	文件：899.03 Kbytes Page：10 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQPF4N90	文件：621.35 Kbytes Page：8 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQPF4N90C	文件：899.03 Kbytes Page：10 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQPF4N90C	文件：920.84 Kbytes Page：10 Pages	900VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQPF4N90C	文件：307.99 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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详细参数

型号：
IXTM4N90
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-204AC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
无锡固电半导体股份有限公司	IXTM4N90	isc	2024	TO-3	9000	国产品牌isc,可替代原装	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	IXTM50N20	IXYS	02+	TO-3	102		询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IXTM50N20	IXYS	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
标准国际(香港)有限公司	IXTM50N20	IXYS	2004		4	公司优势库存热卖中!!	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IXTM50N20	ISC/固电	21+ROHS	TO-3	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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深圳中芯器材有限公司	IXTM5N100A	ixys	dc04	原厂封装	34	INSTOCK:20/tube/to3	询价
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更多IXTM4N90供应商更新时间2024-4-26 12:45:00

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