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PE15N80	文件：1.73603 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SIHA15N80AE	文件：166.42 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Loweffectivecapacitance(Co(er)) •Reducedswitchingandconductionlosses •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Serverandtelecompower	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHA15N80AEF	文件：159.23 Kbytes Page：8 Pages	EFSeriesPowerMOSFETWithFastBodyDiode FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Loweffectivecapacitance(Co(er)) •Reducedswitchingandconductionlosses •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Serverandtelecompower	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHB15N80	文件：294.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHB15N80AE	文件：200.49 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Loweffectivecapacitance(Co(er)) •Reducedswitchingandconductionlosses •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Serverandtelecompower	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG15N80AE	文件：202.67 Kbytes Page：10 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Loweffectivecapacitance(Co(er)) •Reducedswitchingandconductionlosses •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Serverandtelecompower	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG15N80AEF	文件：206.52 Kbytes Page：10 Pages	EFSeriesPowerMOSFETWithFastBodyDiode FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Loweffectivecapacitance(Co(er)) •Reducedswitchingandconductionlosses •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Serverandtelecompower	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP15N80AE	文件：160.99 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Loweffectivecapacitance(Co(er)) •Reducedswitchingandconductionlosses •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Serverandtelecompower	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP15N80AEF	文件：164.72 Kbytes Page：8 Pages	EFSeriesPowerMOSFETWithFastBodyDiodes FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Loweffectivecapacitance(Co(er)) •Reducedswitchingandconductionlosses •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Serverandtelecompower	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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