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FQA13N80	文件：363.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=12.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQA13N80	文件：833.88 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA13N80	文件：830.55 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA13N80	文件：731.59 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQAF13N80	文件：716.16 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQAF13N80	文件：317.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=8.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HFH13N80	文件：816.91 Kbytes Page：7 Pages	800VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
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IXFH13N80	文件：95.68 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode Highdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodrive	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH13N80Q	文件：51.28 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQClass N-ChannelEnhancementMode AvalancheRatedHighdv/dt,LowQg Features •IXYSadvancedlowQgprocess •Internationalstandardpackages •LowRDS(on) •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Fastswitching •MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Advantages •Easy	IXYS IXYS Corporation	IXYS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IXTM15N45A	IXYS	24+	TO-3	102		询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	IXTM20N60		23+	原厂标准封装	8000	只做原装现货	询价
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深圳和润天下电子科技有限公司	IXTM20N60	IXYS/艾赛斯	23+	TO-264	32189	原装正品华强现货	询价
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