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IXTK82N25P	文件：326.84 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=82A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=38mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·MotorDrive,DC-DCConverter,PowerSwitch andSolenoidDrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTK82N25P	文件：610.02 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT Power MOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTK82N25P	文件：164.91 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTK82N25P	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道标准MOSFET; • 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(on)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n;	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
IXTQ82N25P	文件：164.91 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.038
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
82
Gate Charge (nC)：
142
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.25
Configuration：
Single
Package Type：
TO-264
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
200
Power Dissipation (W)：
500
Sample Request：
No
Check Stock：
Yes

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