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IXTH76N25T	文件：213.04 Kbytes Page：6 Pages	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode 文件：213.04 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTH76N25T	文件：383.63 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：383.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTH76N25T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET • 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTI76N25T	文件：213.04 Kbytes Page：6 Pages	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode 文件：213.04 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTP76N25T	文件：213.04 Kbytes Page：6 Pages	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode 文件：213.04 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTP76N25T	文件：332.11 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 76A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 44mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：332.11 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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更多IXTH76N25供应商更新时间2025-11-8 14:13:00