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IXTC200N085T	文件：295.62 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA200N085T	文件：221.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated TrenchMVPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Ultra-lowOnResistance •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •175°COperatingTemperature Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highp	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA200N085T	文件：299.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤5.0mΩ@VGS=10V •Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATION •DC/DCConverters •HighCurrentSwi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA-200N085T	文件：221.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated TrenchMVPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Ultra-lowOnResistance •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •175°COperatingTemperature Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highp	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH200N085	文件：367.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=85V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH200N085T	文件：211.28 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP200N085T	文件：295.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP-200N085T	文件：221.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated TrenchMVPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Ultra-lowOnResistance •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •175°COperatingTemperature Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highp	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ200N085T	文件：211.28 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IXTC200N085T	IXYS	24+	ISOPLUS220trade	100		询价
深圳市华来深电子有限公司	IXTC200N10T	IXYS	23+	TO-220	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IXTC200N10T	IXYS	22+	ISOPLUS220?	9000	原厂渠道,现货配单	询价
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