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IXTA140P05T	文件：222.8 Kbytes Page：6 Pages	TrenchP Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TrenchP™PowerMOSFETs P-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •InternationalStandardPackages •AvalancheRated •ExtendedFBSOA •FastIntrinsicDiode •LowRDS(ON)andQG Advantages •EasytoMount •SpaceSavings •HighPowerDensity Applications •High-SideSwitchi	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA140P05T	文件：347.63 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-140A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=-10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·AutomaticTestEquipment ·High-SideSwitching ·BatteryChargers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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