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PSM20N60CTB	文件：993.67 Kbytes Page：10 Pages	20A600VSingleN-ChannelPowerMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
PSM20N60CTF	文件：979.83 Kbytes Page：10 Pages	20A600VSingleN-ChannelPowerMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
PSM20N60PT	文件：1.02969 Mbytes Page：10 Pages	20A600VSingleN-ChannelPowerMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
RLBGB20N60	文件：806.53 Kbytes Page：3 Pages	IGBT Features 600V,20A VCE(sat)(typ.)=1.85V@VGE=15V,IC=20A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOA GeneralDescription trenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UPS, general	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
RLFGB20N60CT	文件：494.23 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELIGBT FEATURES Lowgatecharge TrenchFSTechnology, saturationvoltage:VCE(sat),typ=1.6V,IC=20AandTC=25°C APPLICATIONS Generalpurposeinverters UPS	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
RLGB20N60CT	文件：471.1 Kbytes Page：3 Pages	IGBT Features 600V,20A VCE(sat)(typ.)=1.85V@VGE=15V,IC=20A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOA GeneralDescription trenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UPS,	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
RLPGB20N60CT	文件：814.08 Kbytes Page：3 Pages	IGBT Features 600V,20A VCE(sat)(typ.)=1.85V@VGE=15V,IC=20A Highspeedswitching Highersystemefficiency Softcurrentturn-offwaveforms SquareRBSOA GeneralDescription trenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UP	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
RLTPGB20N60CT	文件：674.68 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELIGBT APPLICATIONS Generalpurposeinverters UPS FEATURES Lowgatecharge TrenchFSTechnology, Saturationvoltage:VCE(sat),typ=1.85VIC=20AandTC=25°C	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
RM20N60LD	文件：325.79 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM20N60LDV	文件：482.66 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=20A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

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详细参数

型号：
IXKC20N60C
功能描述：
MOSFET 14 Amps 600V 0.19 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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