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MGP20N60U	文件：120.68 Kbytes Page：5 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistorN–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Italsoprovideslowon–voltagewhichresultsinefficientoperationat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MGW20N60D	文件：246.08 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguara	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MHF20N60CT	文件：2.68645 Mbytes Page：8 Pages	600VSiliconN-ChannelPowerMOSFET	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
MSAFX20N60A	文件：48.16 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features •Ultrafastbodydiode •Ruggedpolysilicongatecellstructure •IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability •Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage •Lowpackageinductance •Verylowthermalresistance •Reversepolarityavailableuponrequest	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSW20N60	文件：480.56 Kbytes Page：4 Pages	500VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
NCE20N60	文件：609.19 Kbytes Page：9 Pages	SuperJunctionMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE20N60F	文件：609.19 Kbytes Page：9 Pages	SuperJunctionMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
P20N60	文件：364.5 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PCFC20N60W	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PSM20N60CT	文件：955.76 Kbytes Page：10 Pages	20A600VSingleN-ChannelPowerMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC

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详细参数

型号：
IXKC20N60C
功能描述：
MOSFET 14 Amps 600V 0.19 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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