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JCS20N60WH	文件：889.66 Kbytes Page：8 Pages	Highefficiencyswitchmodepowersupplies	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
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JMP20N60A	文件：270.623 Kbytes Page：7 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
K20N60	文件：321.44 Kbytes Page：13 Pages	FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
KGF20N60KDA	文件：1.53113 Mbytes Page：8 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGF20N60PA	文件：1.41916 Mbytes Page：6 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MGP20N60U	文件：120.01 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor InsulatedGateBipolarTransistorN–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Italsoprovidesfastswitchingcharacteristicsandresultsinefficie	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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详细参数

型号：
IXKC20N60C
功能描述：
MOSFET 14 Amps 600V 0.19 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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