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IXGH48N60B3C1分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXGH48N60B3C1
厂商型号

IXGH48N60B3C1

参数属性

IXGH48N60B3C1 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 75A 300W TO247

功能描述

GenX3TM 600V IGBT w/ SiC Anti-Parallel Diode
IGBT 600V 75A 300W TO247

文件大小

193.26 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-17 10:33:00

IXGH48N60B3C1规格书详情

Medium Speed Low Vsat PT

IGBT 5 - 40 kHz Switching

Features

• Optimized for Low Conduction and

Switching Losses

• Square RBSOA

• Anti-Parallel Schottky Diode

• International Standard Package

Advantages

• High Power Density

• Low Gate Drive Requirement

Applications

• Power Inverters

• UPS

• Motor Drives

• SMPS

• PFC Circuits

• Battery Chargers

• Welding Machines

• Lamp Ballasts

IXGH48N60B3C1属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXGH48N60B3C1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IXGH48N60B3C1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX3™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,32A

  • 开关能量:

    450µJ(开),660µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    22ns/130ns

  • 测试条件:

    480V,30A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 75A 300W TO247

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