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IXFR24N50Q中文资料艾赛斯数据手册PDF规格书

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厂商型号

IXFR24N50Q

功能描述

HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 (Electrically Isolated Back Surface)

文件大小

79.56 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-12 18:36:00

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IXFR24N50Q规格书详情

(Electrically Isolated Back Surface)

N-Channel Enhancement Mode High dV/dt, Low trr, HDMOS™ Family

特性 Features

Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

Low drain to tab capacitance(<35pF)

Low RDS (on)HDMOS™ process

Rugged polysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS) rated

Fast intrinsic Rectifier

Applications

DC-DC converters

Battery chargers

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

DC choppers

AC motor control

产品属性

  • 型号:

    IXFR24N50Q

  • 功能描述:

    MOSFET 22 Amps 500V 0.23 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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