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IXFQ20N50 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=300mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
Preliminary Technical Information VDSS=500V ID25=20A RDS(on)≤300m N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features FastIntrinsicRectifier AvalancheRated LowRDS(ON)andQG LowPackageInductance Advantages HighPowerDensity EasytoMoun | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | IXYS | ||
Power MOSFET | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | IXYS | ||
N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchedmodepowersupplies,DCtoDCconverters,motorcontrolcircuits,UPSandgeneralpurposeswitchingapplications.TheNell20N50isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof20A,fastswitchingsp | NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司 | NELLSEMI | ||
Lowleakagecurrent | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
20A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | UTC | ||
20A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司 | WXDH | ||
20A500VN-channelenhancedfieldeffecttransistor | YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司 | YFWDIODE | ||
20A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司 | WXDH | ||
20A,500VHeatsinkN-ChannelTypePowerMOSFET | THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司 | THINKISEMI | ||
20A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司 | WXDH | ||
N?묬hannelPowerMOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
20A竊?00VN-CHANNELMOSFET | KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司 | KIA | ||
N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage | FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司 | FOSHAN | ||
N-CHANNELMOSFETinaTO-220FLPlasticPackage | FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司 | FOSHAN | ||
N-ChannelMOSFETinaTO-3PPlasticPackage | FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司 | FOSHAN | ||
POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商 | ETC1 | ||
20A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司 | WXDH | ||
20A500VN-channelEnhancementModePowerMOSFET | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司 | WXDH | ||
500VN-ChannelMOSFET | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild |
详细参数
- 型号：
IXFQ20N50
- 功能描述：
MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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