IXFQ14N80规格书供应代理无锡固电ISC-114ic电子网

首页 >IXFQ14N80>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IXFQ14N80	文件：312.56 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 720mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：312.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFQ14N80P	文件：232.16 Kbytes Page：5 Pages	PolarHV HiPerFET Power MOSFET PolarHV™ HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • 文件：232.16 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFQ14N80P	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道HiPerFET • 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFT14N80P	文件：232.16 Kbytes Page：5 Pages	PolarHV HiPerFET Power MOSFET PolarHV™ HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • 文件：232.16 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFV14N80P	文件：232.16 Kbytes Page：5 Pages	PolarHV HiPerFET Power MOSFET PolarHV™ HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • 文件：232.16 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFV14N80PS	文件：232.16 Kbytes Page：5 Pages	PolarHV HiPerFET Power MOSFET PolarHV™ HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • 文件：232.16 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

详细参数

型号：
IXFQ14N80
功能描述：
MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IXFQ14N80	IXYS	24+	TO-3P-3	8866		询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	IXFQ14N80P	IXYS	1931+	N/A	18	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
深圳市科雨电子有限公司	IXFQ14N80P	IXYS	25+	TO-3P	326	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市易讯博科技有限公司	IXFQ14N80P	IXYS	22+	NA	18	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IXFQ14N80P	IXYS	22+	TO3P3 SC653	9000	原厂渠道,现货配单	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IXFQ14N80P	IXYS/艾赛斯	23+	TO-3P	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	IXFQ14N80P	IXYS	2022+	TO-3P-3,SC-65-3	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市星辰微电科技有限公司	IXFQ14N80P	IXYS(艾赛斯)	23+	N/A	7500	IXYS(艾赛斯)全系列在售	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	IXFQ14N80P	IXYS/艾赛斯	23+	TO-3P	59620	原装正品华强现货	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	IXFQ14N80P	IXYS	25+	TO-3P	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价

更多IXFQ14N80供应商更新时间2025-10-4 10:03:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号