isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=270A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.1mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and laser drives.

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ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrnsic Rectifier

文件：287.85 Kbytes 页数：6 Pages

IXYS

艾赛斯

N通道沟槽栅 Gen3 MOSFET

• 超低通态电阻RDS(on)\n• 高电流处理能力\n• 雪崩评级\n• 快速体二极管\n• 175°C工作温度\n• 国际标准包装;

Littelfuse

力特

TO-247

IXYS

艾赛斯

上传：深圳市凌旭科技有限公司

TO-263

IXYS/LITTELFUSE

上传：深圳市斌腾达科技有限公司