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IXFK33N50	文件：328.06 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFK33N50	文件：39.96 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Fastintrinsicrectifi	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFK33N50	文件：202.7 Kbytes Page：3 Pages	Power MOSFETs	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFK33N50_V01	文件：202.7 Kbytes Page：3 Pages	Power MOSFETs	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTK33N50	文件：85.35 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentMegaMOSFET HighCurrentMegaMOS™FET N-ChannelEnhancementMode Features •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Internationalstandardpackage •Fastswitchingtimes Applications •Motorcontrols •DCchoppers •UninterruptablePowerSupplies(UPS) •Switch-mode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTK33N50	文件：295.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTK33N50	文件：296.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

详细参数

型号：
IXFK33N50
功能描述：
MOSFET 33 Amps 500V 0.16 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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