选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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原装NA |
39329 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
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IXYS/LITTELFUSETO-247 |
8100 |
23+ |
只做原装提供一站式配套供货中利达 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Littelfuse/IXYSTO-247 |
7814 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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IXYSTO-247 |
8848 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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IXYSTO-247 |
6199 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
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IXYS(艾赛斯)TO-247 |
8302 |
2308+ |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
19 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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IXYSTO-247 |
2200 |
23+ |
有挂有货,原装正品,代理处分货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
13116 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IXYSTO-247 |
4500 |
24+ |
原装正品现货,假一罚十 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
2700 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市亿智腾科技有限公司8年
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
3580 |
2021+ |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
98900 |
22+ |
只做原装,支持实单,来电咨询。 |
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深圳市远进半导体有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯原装正品 |
33000 |
新批次 |
3月30更新微信报价 可提供技术PDF |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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IXYSTO-247-4L |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
7200 |
24+ |
原装正品现货,假一罚十 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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IXYS/艾赛斯TO3P |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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IXYS/LittelfuseTO-247 |
7200 |
23+ |
只做原装提供一站式配套供货中利达 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO2473 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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IXFH80N图片
IXFH80N10Q价格
IXFH80N10Q价格:¥47.0870品牌:IXYS
生产厂家品牌为IXYS的IXFH80N10Q多少钱,想知道IXFH80N10Q价格是多少?参考价:¥47.0870。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IXFH80N10Q批发价格及采购报价,IXFH80N10Q销售排行榜及行情走势,IXFH80N10Q报价。
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更多IXFH80N06功能描述:MOSFET Legacy HiPer 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH80N08功能描述:MOSFET 80 Amps 80V 0.009 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH80N085功能描述:MOSFET HiPerFETTM Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH80N10功能描述:MOSFET 80 Amps 100V 0.125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH80N10Q功能描述:MOSFET 100V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH80N15Q功能描述:MOSFET 80 Amps 150V 0.0225 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH80N20Q功能描述:MOSFET 200V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH80N30P3功能描述:MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube