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IXDN604SI

4-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

文件:1.60046 Mbytes 页数:13 Pages

Clare

Clare, Inc.

IXDN604SI

4A Peak Source/Sink Drive Current

文件:320.5 Kbytes 页数:13 Pages

IXYS

艾赛斯

IXDN604SI

AEC Q100 Qualified

文件:273.46 Kbytes 页数:12 Pages

IXYS

艾赛斯

IXDN604SIA

4A Peak Source/Sink Drive Current

文件:320.5 Kbytes 页数:13 Pages

IXYS

艾赛斯

IXDN604SIA

AEC Q100 Qualified

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IXYS

艾赛斯

IXDN604SIA

4-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

文件:1.60046 Mbytes 页数:13 Pages

Clare

Clare, Inc.

IXDN604SIATR

4-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

文件:1.60046 Mbytes 页数:13 Pages

Clare

Clare, Inc.

IXDN604SIATR

4A Peak Source/Sink Drive Current

文件:320.5 Kbytes 页数:13 Pages

IXYS

艾赛斯

IXDN604SIATR

AEC Q100 Qualified

文件:273.46 Kbytes 页数:12 Pages

IXYS

艾赛斯

IXDN604SITR

AEC Q100 Qualified

文件:273.46 Kbytes 页数:12 Pages

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXDN604SIA

  • 制造商:

    IXYS Integrated Circuits Division

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 35V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,3V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    4A,4A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    9ns,8ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
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IXYS/艾赛斯原装正品IXDN604SIA即刻询购立享优惠#长期有货
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更多IXDN604S供应商 更新时间2025-11-4 14:14:00