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IXDN502PI

2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

IXYS

IXYS Corporation

IXDN502PI

2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

IXYS

IXYS Corporation

IXDN502PI

Package:8-DIP(0.300",7.62mm);包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

IXYS

IXYS Corporation

IXDN502SIA

2AmpereDualLow-SideUltrafastMOSFETDrivers

IXYS

IXYS Corporation

IXDN502SIA

2AmpereDualLow-SideUltrafastMOSFETDrivers

IXYS

IXYS Corporation

IXDN502SIAT/R

2AmpereDualLow-SideUltrafastMOSFETDrivers

IXYS

IXYS Corporation

IXDN502SIAT/R

2AmpereDualLow-SideUltrafastMOSFETDrivers

IXYS

IXYS Corporation

IXDN502SIATSLASHR

2AmpereDualLow-SideUltrafastMOSFETDrivers

IXYS

IXYS Corporation

IXDN502SIATSLASHR

2AmpereDualLow-SideUltrafastMOSFETDrivers

IXYS

IXYS Corporation

IXDR502

2AmpereSingleLow-SideUltrafastMOSFETDrivers

IXYS

IXYS Corporation

产品属性

  • 产品编号:

    IXDN502PI

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 30V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,3V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    7.5ns,6.5ns

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    8-DIP(0.300",7.62mm)

  • 供应商器件封装:

    8-DIP

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

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