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IXDN402PI	文件：308.26 Kbytes Page：10 Pages	2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers General Description The IXDN402/IXDI402/IXDF402 consists of two 2 Amp CMOS high speed MOSFET drivers. Each output can source and sink 2A of peak current while producing voltage rise and fall times of less than 15ns to drive the latest IXYS MOSFETs & IGBTs. The input of the driver is TTL or 文件：308.26 Kbytes 页数：10 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXDN402PI	文件：221.3 Kbytes Page：10 Pages	2 Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers General Description The IXDN402/IXDI402/IXDF402 consists of two 2 Amp CMOS high speed MOSFET drivers. Each output can source and sink 2A of peak current while producing voltage rise and fall times of less than 15ns to drive the latest IXYS MOSFETs & IGBTs. The input of the driver is TTL or 文件：221.3 Kbytes 页数：10 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXDN402PI	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET/IGBT Gate Drivers	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXDN402PI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXDN402PI
制造商：
IXYS
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
低端
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 35V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
8ns，8ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-DIP
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

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