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IXDE509SIA	文件：407.86 Kbytes Page：10 Pages	9 Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers with Enable for fast, controlled shutdown	IXYS IXYS Corporation
IXDE509SIA	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET/IGBT Gate Drivers	Littelfuselittelfuse 力特力特公司
IXDE509SIA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC	IXYS IXYS Corporation
IXDE509SIATR	文件：407.86 Kbytes Page：10 Pages	9 Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers with Enable for fast, controlled shutdown	IXYS IXYS Corporation
IXDE509SIAT/R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC	IXYS IXYS Corporation

产品属性

产品编号：
IXDE509SIA
制造商：
IXYS
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
低端
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 30V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
9A，9A
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
25ns，23ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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