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IVN5001	文件：220 Kbytes Page：2 Pages	Field Effect Power Transistor [GE] Features •Highspeed,highpeakcurrentswitching •Inherentcurrentsharingcapabilitywhenparalleled •DirectlyinterfacetoCMOS,DTL,TTLlogic •Simple,straight-forwardDCbiasing •Inherentprotectionfromthermalrunaway •Reliable,lowcostplasticpackage Applications •L	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
IVN5001	文件：789.71 Kbytes Page：2 Pages	FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR Features •Highspeed,highpeakcurrentswitching •Inherentcurrentsharingcapabilitywhenparalleled •DirectlyinterfacetoCMOS,DTL,TTLlogic •Simple,straight-forwardDCbiasing •Inherentprotectionfromthermalrunaway •Reliable,lowcostplasticpackage Applications •LEDand	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
K5001WHI	文件：9.6955 Mbytes Page：19 Pages	LogicPlus™	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
KBPC5001	文件：469.67 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER FEATURES MetalcaseforMaximumHeatDissipation Surgeoverloadrating-400Amperes *Lowforwardvoltagedrop	DCCOM Dc Components	DCCOM
KBPC5001	文件：51.57 Kbytes Page：4 Pages	40,50AHIGHCURRENTBRIDGERECTIFIER	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
KBPC5001	文件：232.38 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
KBPC5001	文件：863.89 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS FEATURES Ratingto1000VPRV 500Amperessurgecapability Highefficincy Electricallyisolatedmetalcaseformaximumheat dissipation Mounting:thruholefor#8screwMounting	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
KBPC5001	文件：54.8 Kbytes Page：4 Pages	50AHIGHCURRENTSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●LowReverseLeakageCurrent ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●ElectricallyIsolatedMetalCasefor MaximumHeatDissipation ●CasetoTerminalIsolationVoltage2500V ●RecognizedFile#E157705	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
KBPC5001	文件：231.38 Kbytes Page：2 Pages	CURRENT50.0AmperesVOLTAGE50to1000Volts Features •DiffusedJunction •LowReverseLeakageCurrent •LowPowerLoss,HighEfficiency •SurgeOverloadRatingto400APeak •ElectricallyIsolatedMetalCaseforMaximumHeatDissipation •HighCaseDielectricStrengthof1500VRMS	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
KBPC5001	文件：150.47 Kbytes Page：2 Pages	HIGHCURRENT15,25,35,50AMPS.SINGLEPHASEBRIDGERECTIFIERS	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD

详细参数

型号：
IVN5001
功能描述：
Field Effect Power Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市博浩通科技有限公司	IVN5001TND	SI	23+	CAN	6412	优势库存	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IVN5200TND	INTERSIL	23+	CAN3	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市弘为电子有限公司	IVN6100	SILICONI	24+	CAN3	220	原装现货假一罚十	询价
深圳市昊创电子有限公司	IVN6100	SILICONI	专业铁帽	CAN3	220	原装铁帽专营,代理渠道量大可订货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	IVN6100	SILICONI/矽睿科技	专业铁帽	CAN3	67500	铁帽原装主营-可开原型号增税票	询价
深圳市壹芯创科技有限公司	IVP-1	RS PRO	22+		2500	原装现货支持实单	询价
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更多IVN5001供应商更新时间2025-7-15 15:54:00

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