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ISPP07N60S5	文件：338.87 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPB07N60S5	文件：652.3 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPB07N60S5	文件：332.37 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Optimizedcapacitances •Improvednoiseimmunity	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPB07N60S5	文件：108.07 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPB07N60S5	文件：1.10801 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPB07N60S5	文件：189.04 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPD07N60S5	文件：335.34 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPD07N60S5	文件：262.82 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO-251andTO-252 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;RoHS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPDU07N60S5	文件：332.37 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOS??PowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Optimizedcapacitances •Improvednoiseimmunity	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPI07N60S5	文件：315.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.6Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	ISPP1184	PHI	23+	BGA	3000	一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	ISPP300ISI	IS	23+		50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市赛尔通科技有限公司	ISPPAC1001PI	LAT	23+		65480		询价

更多ISPP07N60S5供应商更新时间2025-6-17 17:39:00

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