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ISPP02N60C3	文件：338.47 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤3Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPB02N60C3	文件：551.02 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPB02N60C3	文件：189.48 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPB02N60C3	文件：282.69 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPB02N60C3	文件：2.03131 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPD02N60C3	文件：1.08852 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPD02N60C3	文件：1.22437 Mbytes Page：13 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD02N60C3	文件：336.01 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Ultraloweffectivecapacitance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤3Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPD02N60C3	文件：1.01922 Mbytes Page：13 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD02N60C3	文件：294.92 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor CoolMOS™PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	ISPP1184	PHILIPS/飞利浦	23+	BGA	3000	一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	ISPP300ISI	IS	23+		50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威雅利发展有限公司	ISPP300ISI	IS	12		210	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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深圳市一线半导体有限公司	ISPPA300IST	ST	24+		875		询价
深圳市赛美科科技有限公司	ISPPA300IST	ST			68500	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市能元时代电子有限公司	ISPPA300IST	ST	23+		47403	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
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深圳市永贝尔科技有限公司	ISPPAC10	LATTICE	23+	NA	25060	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	ISPPAC1001PI	LAT	23+		65480		询价

更多ISPP02N60C3供应商更新时间2025-5-22 16:52:00

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