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ISL6608IR	文件：333.71 Kbytes Page：11 Pages	Synchronous Rectified MOSFET Driver with Pre-Biased Load Startup Capability TheISL6608isahighfrequency,MOSFETdriveroptimized todrivetwoN-ChannelpowerMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.Thisdrivercombinedwith anIntersilHIP63xxorISL65xxMulti-PhaseBuckPWM controllerformsacompletesingle-stagecore-voltage regulatorsolutio	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
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ISL6608IR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：8-VQFN 裸露焊盘类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8QFN	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
ISL6608IR-T	文件：333.71 Kbytes Page：11 Pages	Synchronous Rectified MOSFET Driver with Pre-Biased Load Startup Capability TheISL6608isahighfrequency,MOSFETdriveroptimized todrivetwoN-ChannelpowerMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.Thisdrivercombinedwith anIntersilHIP63xxorISL65xxMulti-PhaseBuckPWM controllerformsacompletesingle-stagecore-voltage regulatorsolutio	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
ISL6608IRZ	文件：333.71 Kbytes Page：11 Pages	Synchronous Rectified MOSFET Driver with Pre-Biased Load Startup Capability TheISL6608isahighfrequency,MOSFETdriveroptimized todrivetwoN-ChannelpowerMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.Thisdrivercombinedwith anIntersilHIP63xxorISL65xxMulti-PhaseBuckPWM controllerformsacompletesingle-stagecore-voltage regulatorsolutio	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
ISL6608IRZ-T	文件：333.71 Kbytes Page：11 Pages	Synchronous Rectified MOSFET Driver with Pre-Biased Load Startup Capability TheISL6608isahighfrequency,MOSFETdriveroptimized todrivetwoN-ChannelpowerMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.Thisdrivercombinedwith anIntersilHIP63xxorISL65xxMulti-PhaseBuckPWM controllerformsacompletesingle-stagecore-voltage regulatorsolutio	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社
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ISL6608IRZ-T	文件：611.92 Kbytes Page：11 Pages	Synchronous Rectified MOSFET Driver with Pre-Biased Load Startup Capability	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
ISL6608IRZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：8-VQFN 裸露焊盘类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8QFN	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
ISL6608IRZ-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：8-VQFN 裸露焊盘类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8QFN	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
6608HS	文件：132.03 Kbytes Page：1 Pages	GepcoaBeldenBrand,AnalogAudioCable,8Pair22AWG(7x30)BareCopperconductors,FEPInsulation,IndividuallyShielded,PVDFJacket,CMPrated	BELDEN Belden Inc.
AN6608	文件：66.84 Kbytes Page：6 Pages	DCMotorForward/ReverseDualSpeedElectronicGovernors ■Overview TheAN6608,theAN6609NandtheAN6609NSaretheelectronicgovernorswhichincorporatetheforward/reverserotationanddoublespeedcontrolsoftheDC-motorsusedforradio/cassettetaperecorder,andthefunctionssuchasfastforward,rewind,brake,andpause.Theyarealsoavailab	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器
AO6608	文件：387.6 Kbytes Page：9 Pages	20VComplementaryMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AWU6608	文件：567.34 Kbytes Page：13 Pages	HELP3TMBand8/WCDMA3.4V/28.5dBmLinearPAModule	ANADIGICS ANADIGICS
CEM6608	文件：647.27 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,4A,RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=100mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司

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产品属性

产品编号：
ISL6608IR
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
8ns，8ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
8-QFN（3x3）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8QFN

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