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N6506NZ	文件：297.45 Kbytes Page：8 Pages	N-channelMOSFET650V,7.5A,1.3 Description TheN6506NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Lowon-stateresistance RDS(on)=1.3MAX.(VGS=10V,ID=3.75A) Lowinputcapacitance Ciss=1385pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) Highcurrent ID(DC)=±7.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6506	文件：353.47 Kbytes Page：5 Pages	NECs1550nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR622Mb/sAND1.25Gb/sAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
NX6506	文件：247.82 Kbytes Page：9 Pages	LASERDIODE 1550nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODE FOR622Mb/s,1.25Gb/s DESCRIPTION TheNX6506Seriesisa1550nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPINPD. APPLICATIONS •STM-1,STM-4,ITU-Trecommendations •FTTHPON(FiberToTheHo	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6506GH	文件：247.82 Kbytes Page：9 Pages	LASERDIODE 1550nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODE FOR622Mb/s,1.25Gb/s DESCRIPTION TheNX6506Seriesisa1550nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPINPD. APPLICATIONS •STM-1,STM-4,ITU-Trecommendations •FTTHPON(FiberToTheHo	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6506GH-AZ	文件：353.47 Kbytes Page：5 Pages	NECs1550nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR622Mb/sAND1.25Gb/sAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
NX6506GK	文件：247.82 Kbytes Page：9 Pages	LASERDIODE 1550nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODE FOR622Mb/s,1.25Gb/s DESCRIPTION TheNX6506Seriesisa1550nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPINPD. APPLICATIONS •STM-1,STM-4,ITU-Trecommendations •FTTHPON(FiberToTheHo	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6506GK-AZ	文件：353.47 Kbytes Page：5 Pages	NECs1550nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR622Mb/sAND1.25Gb/sAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
PD-6506GAC	文件：927.27 Kbytes Page：2 Pages	Business-classMidspanFamilywithNetworkManagementSystemandLifetimeWarranty	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
PD-6506GM	文件：927.27 Kbytes Page：2 Pages	Business-classMidspanFamilywithNetworkManagementSystemandLifetimeWarranty	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
PT6506	文件：241.53 Kbytes Page：10 Pages	SmallSIPFootprint	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

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产品属性

产品编号：
ISL6506BCB-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 电源控制器，监视器
包装：
管件
应用：
电源控制器/监控器
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘
供应商器件封装：
8-SOIC-EP
描述：
IC MULTIPLE POWER CTRLR 8LEPSOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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