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NTE6410	文件：19.1 Kbytes Page：2 Pages	UnijunctionTransistor(UJT) Description: TheNTE6410isaPNunijunctiontransistorinaTO92typepackagedesignedforuseinpulseandtimingcircuits,sensingcircuitsandthyristortriggercircuits. AbsoluteMaximumRatings:(TA=+25°Cunlessotherspecified) RMSPowerDissipation,PD............	NTE NTE Electronics	NTE
NTP6410AN	文件：150.44 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET100V,76A,13m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP6410AN	文件：87.02 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP6410AN	文件：1.51881 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
NTP6410ANG	文件：87.02 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP6410ANG	文件：150.44 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET100V,76A,13m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NUF6410MN	文件：148.71 Kbytes Page：6 Pages	6-ChannelEMIFilterwithIntegratedESDProtection	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NUF6410MN	文件：76.15 Kbytes Page：4 Pages	6LineEMIFilterwithESDProtection	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVB6410AN	文件：87.02 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NX6410GH	文件：178.08 Kbytes Page：8 Pages	LASERDIODE1490nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEFOR2.5Gb/sFTTHPONAPPLICATION DESCRIPTION TheNX6410GHisa1490nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD. FEATURES •OpticaloutputpowerPo=14.0mW •Lowthresholdcurrentlth=10mA •Differentialefficiencyηd=0.3W/A •Wideoperatingtemperatu	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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详细参数

型号：
ISL6410IRZ-T
功能描述：
IC REG BUCK SYNC 0.6A 16QFN
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器
系列：
-
标准包装：
50
类型：
升压（升压）
输出类型：
可调式
输出数：
1
输出电压：
5 V ~ 25 V
输入电压：
2.3 V ~ 5.5 V PWM
型：
电流模式频率 -
开关：
600kHz，1.2MHz 电流 -
输出：
1A
同步整流器：
无
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
包装：
管件
供应商设备封装：
8-MSOP

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