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IS62WV51216BLL-55TLI	文件：129.24 Kbytes Page：16 Pages	512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM DESCRIPTION TheISSIIS62WV51216ALL/IS62WV51216BLLarehigh-speed,8MbitstaticRAMsorganizedas512Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performanceandlowp	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS62WV51216BLL-55TLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS62WV51216BLL-55TLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
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IS62WV51216BLL-55TI	文件：129.24 Kbytes Page：16 Pages	512Kx16LOWVOLTAGE,ULTRALOWPOWERCMOSSTATICRAM DESCRIPTION TheISSIIS62WV51216ALL/IS62WV51216BLLarehigh-speed,8MbitstaticRAMsorganizedas512Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performanceandlowp	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司

产品属性

产品编号：
IS62WV51216BLL-55TLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
8Mb（512K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
55ns
电压 - 供电：
2.5V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP II
描述：
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II

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