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IS62WV12816BLL-55T	文件：631.33 Kbytes Page：17 Pages	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access time: 45ns, 55ns, 70ns • CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating – 9 μW (typical) CMOS standby • TTL compatible interface levels • Single power supply – 1.65V--2.2V Vdd (62WV12816ALL) – 2.5V--3.6V Vdd (62WV12816BLL) • Fully static operation: no cl 文件：631.33 Kbytes 页数：17 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV12816BLL-55T	文件：112.01 Kbytes Page：17 Pages	128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 文件：112.01 Kbytes 页数：17 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV12816BLL-55TI	文件：631.33 Kbytes Page：17 Pages	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access time: 45ns, 55ns, 70ns • CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating – 9 μW (typical) CMOS standby • TTL compatible interface levels • Single power supply – 1.65V--2.2V Vdd (62WV12816ALL) – 2.5V--3.6V Vdd (62WV12816BLL) • Fully static operation: no cl 文件：631.33 Kbytes 页数：17 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV12816BLL-55TLI	文件：631.33 Kbytes Page：17 Pages	128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access time: 45ns, 55ns, 70ns • CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating – 9 μW (typical) CMOS standby • TTL compatible interface levels • Single power supply – 1.65V--2.2V Vdd (62WV12816ALL) – 2.5V--3.6V Vdd (62WV12816BLL) • Fully static operation: no cl 文件：631.33 Kbytes 页数：17 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV12816BLL-55TI	文件：112.01 Kbytes Page：17 Pages	128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 文件：112.01 Kbytes 页数：17 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV12816BLL-55TLI	文件：112.01 Kbytes Page：17 Pages	128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 文件：112.01 Kbytes 页数：17 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV12816BLL-55T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS62WV12816BLL-55TI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS62WV12816BLL-55TLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

产品属性

产品编号：
IS62WV12816BLL-55T
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
2Mb（128K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
55ns
电压 - 供电：
2.5V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP II
描述：
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II

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