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IS61NVF102418B-6.5B2

512K x36 and 1024K x18 18Mb, FLOW THROUGH NO WAIT STATE BUS SYNCHRONOUS SRAM

FEATURES • 100 percent bus utilization • No wait cycles between Read and Write • Internal self-timed write cycle • Individual Byte Write Control • Single R/W (Read/Write) control pin • Clock controlled, registered address, data and control • Interleaved or linear burst sequence control usin

文件:1.88306 Mbytes 页数:39 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61NVF51236B-6.5TQL-TR

QFP-100(14x20)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS61NVF51236B-7.5TQLI

LQFP-100(14x20)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS61NVP25636A-200TQLI

TQFP-100(14x20)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS61NVP409618B-250B3L

TFBGA-165(13x15)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

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IS61NVF25636A-6.5B3L
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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209-LFBGA(14x22)
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更多IS61NVF102418B-6.5B2供应商 更新时间2025-12-2 11:10:00