IS61LV12824-10TQLI集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	IS61LV12824-10TQLI
参数属性	IS61LV12824-10TQLI 封装/外壳为100-LQFP；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 3MBIT PARALLEL 100TQFP
功能描述	128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
封装外壳	100-LQFP
文件大小	77.67 Kbytes
页面数量	13 页
生产厂商	Integrated Silicon Solution Inc
企业简称	ISSI【北京矽成】
中文名称	北京矽成半导体有限公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2025-8-1 23:00:00
人工找货	IS61LV12824-10TQLI价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

IS61LV12824-10TQLI规格书详情

DESCRIPTION

TheISSI IS61LV12824 is a high-speed, static RAM organized as 131,072 words by 24 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 8 ns with low power consumption.

FEATURES

• High-speed access time: 8, 10 ns

• CMOS low power operation

— 756 mW (max.) operating @ 8 ns

— 36 mW (max.) standby @ 8 ns

• TTL compatible interface levels

• Single 3.3V power supply

• Fully static operation: no clock or refresh required

• Three state outputs

• Available in 119-pin Plastic Ball Grid Array (PBGA) and 100-pin TQFP packages.

• Industrial temperature available

• Lead-free available

产品属性

产品编号：
IS61LV12824-10TQLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
3Mb（128K x 24）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-LQFP（14x20）
描述：
IC SRAM 3MBIT PARALLEL 100TQFP

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