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IS46R16160F-5BLA1

8Mx32, 16Mx16, 32Mx8 256Mb DDR SDRAM

FEATURES • VDD and VDDQ: 2.5V ± 0.2V • SSTL_2 compatible I/O • Double-data rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted/ received with data, to be used in capturing data at the receiver • DQS is edge-aligned with data for READs and

文件:763.31 Kbytes 页数:32 Pages

ISSI

矽成半导体

IS46R16160F-5BLA1

Package:60-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46R16160F-5BLA1-TR

Package:60-TFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46TR16128A-15HBL

BGA

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

IS46TR16128C-15HBLA1

FBGA96

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市富芯乐电子科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    IS46R16160F-5BLA1

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR

  • 存储容量:

    256Mb(16M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    2.3V ~ 2.7V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    60-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    60-TFBGA(8x13)

  • 描述:

    IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IS46R16160F-5BLA1供应商 更新时间2025-11-29 14:02:00