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IS43TR16512S2DL-107MBL

512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM

FEATURES • Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V • Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V -Backward compatible to 1.5V • High speed data transfer rates with system frequency up to 933 MHz • 8 internal banks for concurrent operation • 8n-Bit pre-fetch architecture •

文件:3.79842 Mbytes 页数:78 Pages

ISSI

矽成半导体

IS43TR16512S2DL-107MBLI

512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM

FEATURES • Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V • Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V -Backward compatible to 1.5V • High speed data transfer rates with system frequency up to 933 MHz • 8 internal banks for concurrent operation • 8n-Bit pre-fetch architecture •

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ISSI

矽成半导体

IS45S16100E-7TLA1

TSOP56

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市星佑电子有限公司

IS45S16160D-7BLA2

BGA

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市星佑电子有限公司

IS45S16160D-7TLA2

TSOP54

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市富源半导体有限公司

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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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ISSI
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更多IS43TR16512S2DL-107MBL供应商 更新时间2025-11-29 16:30:00