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IS43TR16128C-15HBLI集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
IS43TR16128C-15HBLI |
| 参数属性 | IS43TR16128C-15HBLI 封装/外壳为96-TFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA |
| 功能描述 | 256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM |
| 封装外壳 | 96-TFBGA |
| 文件大小 |
4.53213 Mbytes |
| 页面数量 |
87 页 |
| 生产厂商 | ISSI |
| 中文名称 | 矽成半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-7 23:00:00 |
| 人工找货 | IS43TR16128C-15HBLI价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
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IS43TR16128C-15HBLI规格书详情
FEATURES
Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V
Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V
High speed data transfer rates with system frequency up to 933 MHz
8 internal banks for concurrent operation
8n-Bit pre-fetch architecture
Programmable CAS Latency
Programmable Additive Latency: 0, CL-1,CL-2
Programmable CAS WRITE latency (CWL) based on tCK
Programmable Burst Length: 4 and 8
Programmable Burst Sequence: Sequential or Interleave
BL switch on the fly
Auto Self Refresh(ASR)
Self Refresh Temperature(SRT)
产品属性
- 产品编号:
IS43TR16128C-15HBLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - DDR3
- 存储容量:
2Gb(128M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
15ns
- 电压 - 供电:
1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:
-40°C ~ 95°C(TC)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
96-TFBGA
- 供应商器件封装:
96-TWBGA(9x13)
- 描述:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI(美国芯成) |
24+ |
TWBGA96(9x13) |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ISSI |
16+ |
BGA96 |
160 |
16+ |
询价 | ||
ISSI/芯成 |
25+ |
BGA96 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
24+ |
TWBGA-96(9x13) |
9048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ISSI, |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ISSI |
2410+ |
SOP |
9000 |
十年芯路!只做原装!一直起卖! |
询价 | ||
ISSI/芯成 |
22+ |
FBGA |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ISSI |
1650+ |
? |
8450 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
2447 |
TWBGA-96(9x13) |
315000 |
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询价 | ||
ISSI |
2022+ |
原厂原包装 |
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询价 |

