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IS43TR16128C-107MBL集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
IS43TR16128C-107MBL |
| 参数属性 | IS43TR16128C-107MBL 封装/外壳为96-TFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA |
| 功能描述 | 256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM |
| 封装外壳 | 96-TFBGA |
| 文件大小 |
4.53213 Mbytes |
| 页面数量 |
87 页 |
| 生产厂商 | ISSI |
| 中文名称 | 矽成半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-29 23:00:00 |
| 人工找货 | IS43TR16128C-107MBL价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
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IS43TR16128C-107MBL规格书详情
FEATURES
Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V
Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V
High speed data transfer rates with system frequency up to 933 MHz
8 internal banks for concurrent operation
8n-Bit pre-fetch architecture
Programmable CAS Latency
Programmable Additive Latency: 0, CL-1,CL-2
Programmable CAS WRITE latency (CWL) based on tCK
Programmable Burst Length: 4 and 8
Programmable Burst Sequence: Sequential or Interleave
BL switch on the fly
Auto Self Refresh(ASR)
Self Refresh Temperature(SRT)
产品属性
- 产品编号:
IS43TR16128C-107MBL
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - DDR3
- 存储容量:
2Gb(128M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
15ns
- 电压 - 供电:
1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:
0°C ~ 95°C(TC)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
96-TFBGA
- 供应商器件封装:
96-TWBGA(9x13)
- 描述:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
24+ |
NA/ |
240 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ISSI |
17+ |
BGA96 |
13 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ISSI |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ISSI |
2450+ |
BGA96 |
6540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ISSI |
24+ |
BGA |
9000 |
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询价 | ||
ISSI |
1645+ |
? |
8450 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
ISSI |
2447 |
BGA96 |
100500 |
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ISSI |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ISSI, Integrated Silicon Solu |
23+ |
96-TWBGA9x13 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 |

