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IS43TR16128C-107MBL集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

IS43TR16128C-107MBL

参数属性

IS43TR16128C-107MBL 封装/外壳为96-TFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA

功能描述

256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM

封装外壳

96-TFBGA

文件大小

4.53213 Mbytes

页面数量

87

生产厂商

ISSI

中文名称

矽成半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-29 23:00:00

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IS43TR16128C-107MBL规格书详情

FEATURES

 Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V

 Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V

 High speed data transfer rates with system frequency up to 933 MHz

 8 internal banks for concurrent operation

 8n-Bit pre-fetch architecture

 Programmable CAS Latency

 Programmable Additive Latency: 0, CL-1,CL-2

 Programmable CAS WRITE latency (CWL) based on tCK

 Programmable Burst Length: 4 and 8

 Programmable Burst Sequence: Sequential or Interleave

 BL switch on the fly

 Auto Self Refresh(ASR)

 Self Refresh Temperature(SRT)

产品属性

  • 产品编号:

    IS43TR16128C-107MBL

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR3

  • 存储容量:

    2Gb(128M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.425V ~ 1.575V

  • 工作温度:

    0°C ~ 95°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    96-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    96-TWBGA(9x13)

  • 描述:

    IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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