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IS43SLASH46DR81280BSLASHL

1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM

FEATURES  Clock frequency up to 400MHz  8 internal banks for concurrent operation  4‐bit prefetch architecture  Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6 and 7  Programmable Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4, 5 and 6  Write Latency = Read Latency‐1  Programmable Burst Sequence: Sequential

文件:548.81 Kbytes 页数:28 Pages

ISSI

矽成半导体

IS43TR16128A-15HBLI

BGA

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

IS43TR16128C-125KBLI

FPGA-153

ISSI特价

IS43TR16256A-15HBLI

BGA

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市睿朗电子商行

IS43TR16256B-125KBLI

SMD

ISSI/芯成

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