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IS43DR86400集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料

IS43DR86400
厂商型号

IS43DR86400

参数属性

IS43DR86400 封装/外壳为60-TFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

功能描述

512Mb (x8, x16) DDR2 SDRAM
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

文件大小

867 Kbytes

页面数量

29

生产厂商 Integrated Silicon Solution Inc
企业简称

ISSIISSI公司

中文名称

ISSI有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-20 23:00:00

IS43DR86400规格书详情

IS43DR86400属于集成电路(IC) > 存储器。ISSI有限公司制造生产的IS43DR86400存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

  • 产品编号:

    IS43DR86400C-25DBLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR2

  • 存储容量:

    512Mb(64M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    60-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    60-TWBGA(8x10.5)

  • 描述:

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

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