选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IR原厂封装 |
9450 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD-pak |
1980 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IRSOT252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
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IRTO-252 |
30490 |
21+ |
原装现货库存 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IR/VISHAYTO-252 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
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Infineon TechnologiesTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
3373 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD-Pak |
7600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳兆威电子有限公司6年
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IRD-Pak |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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IRTO-252 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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IR/VISHAYTO-252 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRD-pak |
9852 |
21+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-252 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRD-pak |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IR/VISHAYTO-252 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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IRD-pak |
90000 |
23+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
IRLR3714Z采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRLR3714Z图片
IRLR3714ZTRLPBF价格
IRLR3714ZTRLPBF价格:¥1.8482品牌:IR
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IRLR3714Z中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLR3714Z功能描述:MOSFET N-CH 20V 37A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR3714ZPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 4.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR3714ZTR功能描述:MOSFET N-CH 20V 37A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR3714ZTRL功能描述:MOSFET N-CH 20V 37A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件