| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
 |
IRTO-252 |
501029 |
24+ |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
||
|
深圳市亚泰盈科电子有限公司12年
留言
|
IR/VISHAYTO-252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
|
深圳市南科功率半导体有限公司1年
留言
|
 |
NK/南科功率TO-252 |
2255 |
|
国产南科平替供应大量 |
||
|
深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
|
IRD-pak |
20000 |
24+ |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
|
深圳市亚泰盈科电子有限公司12年
留言
|
IRTO-252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司4年
留言
|
IRD-Pak |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
|||
|
深圳市美思瑞电子科技有限公司12年
留言
|
IR原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
|||
|
深圳诚思涵科技有限公司10年
留言
|
IRD-Pak |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
|
深圳市胜彬电子有限公司12年
留言
|
IRD-pak |
8000 |
22+ |
|
原装正品支持实单 |
||
|
深圳市创新迹电子有限公司2年
留言
|
IRD-PAK |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司5年
留言
|
IRD-PAK |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
|
天津市博通航睿技术有限公司2年
留言
|
IRTO-252 |
7000 |
23+ |
||||
|
深圳市宇集芯电子有限公司12年
留言
|
IRD-PAK |
90000 |
24+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
|||
|
深圳市一线半导体有限公司17年
留言
|
IRD-Pak |
8866 |
24+ |
||||
|
深圳市威尔健半导体有限公司5年
留言
|
IR/VISHAYD-Pak |
28523 |
23+ |
||||
|
深圳宇航军工半导体有限公司11年
留言
|
IR/VISHAYTO-252 |
75247 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
|||
|
中天科工半导体（深圳）有限公司14年
留言
|
IRTO-252 |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
|
深圳市能元时代电子有限公司10年
留言
|
IRD-PAK |
28958 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
|
深圳市博浩通科技有限公司15年
留言
|
IRD-Pak |
7600 |
23+ |
全新原装现货 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司4年
留言
|
IRSOT-252 |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
IRLR014N采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRLR014N图片
IRLR014N中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLR014N制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRLR014NPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms 5.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR014NTR功能描述:MOSFET N-CH 55V 10A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR014NTRL功能描述:MOSFET N-CH 55V 10A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR014NTRPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms 5.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR014NTRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 10A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
