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IRLI630A	文件：226.75 Kbytes Page：7 Pages	ADVANCED POWER MOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4Ω ID=9A FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦150°COperatingTemperature ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=200V ♦LowerRDS(ON):0.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
IRLI630A	文件：226.75 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.4Ω ID=9A FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦150°COperatingTemperature ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=200V ♦LowerRDS(ON):0.	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRLI630G	文件：337.13 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=6.2A) VDSS=200V RDS(on)=0.40Ω ID=6.2A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalins	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRLI630G	文件：1.02856 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET VDS(V)200 RDS(on)(Ω)VGS=5.0V0.40 Qg(Max.)(nC)40 Qgs(nC)5.5 Qgd(nC)24 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRLI630GPBF	文件：1.41327 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.40Ω ID=6.2A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalins	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRLI630GPBF	文件：1.02856 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET VDS(V)200 RDS(on)(Ω)VGS=5.0V0.40 Qg(Max.)(nC)40 Qgs(nC)5.5 Qgd(nC)24 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRLI630A	文件：274.96 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRLI630G	文件：1.04117 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRLI630G_V01	文件：1.04117 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
IRLI630GPBF	文件：1.04117 Mbytes Page：10 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技
630	文件：141.01 Kbytes Page：2 Pages	LowFrequencies	OSCILENT Oscilent Corporation
630	文件：87.55 Kbytes Page：1 Pages	COMPACTDIGITALTHERMOMETERS&THERMO-HYGROMETERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
630	文件：1.35377 Mbytes Page：11 Pages	9A200VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 1Description TheseN-channelEnhancedVDMOSFETs,isobtainedby theself-alignedplanartechnologywhichreducethe conductionloss,improveswitchingperformanceand enhancetheavalancheenergy.Whichaccordswiththe RoHSstandard. 2Features ●FastSwitching ●LowONResistance(Rdso	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
630A	文件：1.95151 Mbytes Page：6 Pages	Fastswitching Features ·Fastswitching ·100avalanchetested ·Improveddv/dtcapability Application ·DCMotorControlandClassDAmplifier ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·Automotive	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
630B	文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages	PULSETRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
630C	文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages	PULSETRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
630C-SERIES	文件：1.07701 Mbytes Page：12 Pages	630CSeriesRightAngleComboD-SubConnectors\|Receptacle Features Signal,alongwithpowerorcoaxialcontactswithinoneconnector SpacesavingonthePCBandI/Odesigns Availableinvariouspinoutconfigurations PinandsocketcontactmatingdesignwithP.C.tailtermination MetalshellprovidesEMI/RFIshielding,plugshellindentsprovidegro	EDACEDAC, All Rights Reserved. 亚得电子亚得电子（东莞）有限公司
630D	文件：87.45 Kbytes Page：1 Pages	AluminumCapacitorsElectrolytics	VishayVishay Siliconix 威世科技
630D	文件：129.68 Kbytes Page：3 Pages	AluminumCapacitors125°C,Miniature,AxialLead	VishayVishay Siliconix 威世科技
630D	文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages	PULSETRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商

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详细参数

型号：
IRLI630
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
ADVANCED POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	IRLI630A	FAIRCHILD/仙童	24+	TO 262	155617	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市星佑电子有限公司	IRLI630A	仙童	05+	TO-262	2500	原装进口	询价
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